智權運用公告申請表附件：公告內容說明表
公告名稱
|
SiC MOSFET模組液冷冷卻結構設計及機械振動測試技術
|
技術領域
|
電子與光電、能源與環境、電動載具
|
產業應用範圍
|
電池製造及測試
|
公告智權項目
|
項次
|
權利類別
|
智慧財產權名稱
|
1
|
營業秘密
|
SiC MOSFET模組液冷冷卻結構設計及機械振動測試技術
|
智慧財產權公告摘要:
項次1
|
智慧財產權名稱
|
SiC MOSFET模組液冷冷卻結構設計及機械振動測試技術
|
權利類別
|
營業秘密
|
權利技術簡介(摘要)
|
SiC功率元件可以達到超越Si功率元件的高耐壓、低導通阻抗、高速動作，亦可在更高溫下動作。SiC功率元件模組被廣泛應用於高效率和高功率密度需求產品。在此操作環境下，如果散熱不佳，常常導致SiC功率元件熱應力故障，並容易使得整個功率轉換器故障。本技術針對SiC MOSFET模組液冷冷卻結構設計及機械振動測試技術進行說明。
|
本公告項目為本院可運用之智慧財產權公告，有興趣洽詢合作之業界夥伴，請來信與我們連絡。
連絡資訊:
法律事務室
劉永貴 管理師
(03)4712201#350623
yz30515@ncsist.org.tw
本聯絡信箱僅供業界夥伴洽詢智慧財產權授權或合作使用，非此目的來信者，本信箱不作回覆。來信請留下以下內容，方便與您聯繫，謝謝。
公司名稱
|
請填寫全名
|
公司統一編號
|
|
洽詢人名稱
|
|
聯絡電話
|
|