智權運用公告申請表附件：公告內容說明表
公告名稱
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高階熱像晶片核心技術
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技術領域
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材料與光電
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產業應用範圍
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室溫紅外熱像關鍵技術應用，如工業熱點檢測、無人化公司工廠運作監控、車用電子低照度行車安全辨識、醫療檢測與醫院安全防護、療養院住民照護、安防與居安監控、學校社區安全監控等產業。
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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營業秘密
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高階熱像晶片核心技術
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2
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專利權
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微阻器讀出電路與校正方法
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智慧財產權公告摘要：
項次1
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智慧財產權名稱
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高階熱像晶片核心技術
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權利類別
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營業秘密
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權利技術簡介(摘要)
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以氧化釩為紅外線感測材料之室溫熱像焦平面陣列模組關鍵技術，建立最終關鍵技術指標≦24 um畫素間距的微阻陣列設計、製造及功能測試核心能量，達到室溫熱像技術分項門檻目標-操作率為99.3%、雜訊等效溫差(NEDT)約50mK@F#1、偵檢度(D*)約1×108cm-Hz1/2/W。
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項次2
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智慧財產權名稱
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微阻器讀出電路與校正方法
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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一種微阻器讀出電路，其中包括:一萃取電路，係用來偵測一溫度變化之電壓訊號；一類比數位轉換器，連接於該萃取電路，並將該溫度變化之電壓訊號進行數位化；一影像處理電路，該類比數位轉換器連接於該影像處理電路；以及該影像處理電路再分別於一增益數位類比轉換器與一抵消數位類比轉換器連接。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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申請號:107137852
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