公告名稱
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碳化矽技術專利
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技術領域
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電子與光電、化工與材料、先進製造與系統、能源與環境
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產業應用範圍
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半導體材料、石墨膜、綠能科技
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利權
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一種碳化矽基板上製作超薄石墨膜之方法
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2
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專利權
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一種用於生長特定形狀碳化物之裝置
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智慧財產權公告摘要:
項次1
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智慧財產權名稱
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一種碳化矽基板上製作超薄石墨膜之方法
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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一種碳化矽基板上製作超薄石墨膜之方法，步驟包括: (A)提供一聚醯胺酸溶液、ㄧ含矽氧烷之耦合試劑於惰性氣體氣氛下聚合成ㄧ含矽氧烷耦合基團之聚醯胺酸溶液；(B)將該含矽氧烷耦合基團之聚醯胺酸溶液塗佈於一碳化矽基板後進行ㄧ熟化製程；(C)該碳化矽基板設置於一石墨坩堝中，再置入一反應爐中，在惰性氣體氣氛下，進行一碳化製程；(D)將該碳化矽單晶基板進行一石墨化製程以獲得ㄧ石墨膜。藉此，可在較低的石墨化溫度下，在碳化矽表面製備出一高品質的超薄石墨薄膜。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I683916號
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項次2
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智慧財產權名稱
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一種用於生長特定形狀碳化物之裝置
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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一種用於生長特定形狀碳化物之裝置，包括: 一坩堝；一料源區，用以放置料源；一沉積區，用以成長晶體；一氣體溫度梯度控制區，其包含一溫度梯度；一加熱元件，係用以加熱該坩堝；一氣流沉積載具，設置於沉積區，該氣流沉積載具係由單一或兩種以上特定形狀重複一次以上排列所組成。藉此，利用氣流沉積載具，可有效量控制碳化物形狀及尺寸並提高沉積表面積。。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I675946號
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日本
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特許第6609300號
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