公告名稱

室溫熱影像製程、封裝、測試與系統整合技術

技術領域

材料與光電

產業應用範圍

室溫紅外熱像關鍵技術應用範圍廣泛，如工業熱點檢測、無人化公司工廠運作監控、車用電子低照度行車安全辨識、醫療檢測與醫院安全防護、療養院住民照護、安防與居安監控、學校社區安全監控等產業。

公告智權項目

項次

權利類別

智慧財產權名稱

1

營業秘密

紅外線感測薄膜濺鍍技術

2

營業秘密

160*120室溫熱像晶片規格介面資料

3

營業秘密

52um-pitch testkey光電參數定義與其bolometer元件技術

4

營業秘密

真空封裝與測試平台整合技術

5

專利權

微阻器讀出電路與校正方法

6

專利權

高精度非接觸量測金屬熱壓模具溫度方法

7

專利權

溫度量測校正方法、電子系統及校正迴歸係數表的產生方法

8

專利權

紅外線抗反射膜結構

9

專利權

紅外線熱影像陣列模組驗證架構與製造方法

10

專利權

具讀出電路之紅外線感測陣列裝置

項次1

智慧財產權名稱

紅外線感測薄膜濺鍍技術

權利類別

營業秘密

權利技術簡介(摘要)

室溫熱像偵檢器所使用之感測材料，以氧化釩薄膜為發展主流。符合室溫熱像技術需求的氧化釩薄膜，需兼具高電阻溫度係數、適當的電阻率與良好的薄膜均勻性，在鍍膜過程需能有效控制薄膜成份，但因釩的氧化物存在多種價位，使氧化釩薄膜成為發展室溫熱像的關鍵技術。氧化釩(VOx)薄膜有多種製作技術，本技術為採用改良式磁控式反應濺鍍法所製備的VOx薄膜，經由基板施加直流偏壓，提升濺鍍原子的移動能力，即可促進V原子與O原子在鍍膜過程緊密排列，抑制孔洞產生，獲得與離子束法相近的顯微結構，並提升VOx薄膜的TCR值，先建立4英吋與6英吋VOx薄膜製程能量，提供試製室溫熱像所需VOx晶片，再持續改善製程技術。

項次2

智慧財產權名稱

160*120室溫熱像晶片規格介面資料

權利類別

營業秘密

權利技術簡介(摘要)

本技術為160*120室溫熱像模組CSI-LDU160-52U介面技術資料，內容包含讀出電路各腳位定義與訊號準位資訊、電路設計架構、封裝尺寸與架構等技術資料。

項次3

智慧財產權名稱

52um-pitch testkey光電參數定義與其bolometer元件技術

權利類別

營業秘密

權利技術簡介(摘要)

本技術為著重探討室溫長波長熱影像器內的偵檢元件架構-VOx Microbolometer 的主要光電參數，如熱導、熱容值、熱響應時間常數、偵檢度與雜訊等效溫度差等，而這些關鍵光電參數將會直接影響熱影像成像品質，同時也會以上述重要光電品質參數對2-leged bolometer test device架構進行特性剖析。此技術報告中我們針對VOx bolometer浮板熱輻射偵檢器重要的光電參數進行說明與推導，並且以浮板熱輻射偵檢器進行系統分析。

項次4

智慧財產權名稱

真空封裝與測試平台整合技術

權利類別

營業秘密

權利技術簡介(摘要)

本技術為一室溫熱像晶圓整合測試技術，首先在進行室溫熱影像陣列元件晶圓製程之前，需要對即將在ROIC晶圓上執行MEMS 製程的晶圓進行規格性能測試，確認ROIC品質規格符合原設計標準後，使用符合標準之ROIC晶圓進行MEMS 製程，完成後再對室溫熱影像陣列元件晶圓進行光電性能測試，必要時也須對test insert 之測試元件進行特性規格測試，確認MEMS熱影像元件符合設計規格。

項次5

智慧財產權名稱

微阻器讀出電路與校正方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

一種微阻器讀出電路，其中包括:一萃取電路，係用來偵測一溫度變化之電壓訊號；一類比數位轉換器，連接於該萃取電路，並將該溫度變化之電壓訊號進行數位化；一影像處理電路，該類比數位轉換器連接於該影像處理電路；以及該影像處理電路再分別於一增益數位類比轉換器與一抵消數位類比轉換器連接。

專利申請國別及申請號

營業秘密、其它免填

同一專利多國申請請分列填寫

中華民國

申請號:107137852

美國

申請號:US16/231,923

項次6

智慧財產權名稱

高精度非接觸量測金屬熱壓模具溫度方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

本發明之主要目的在於提供一種高精度非接觸量測金屬熱壓模具溫度方法，可在多區域即時性地監控金屬溫度，同時具備閥值告警功能，可發揮即時通報，進而節省因需長期監控下之人力成本。

專利申請國別及申請號

營業秘密、其它免填

同一專利多國申請請分列填寫

中華民國

申請號: 107145220

項次7

智慧財產權名稱

溫度量測校正方法、電子系統及校正迴歸係數表的產生方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

為一種溫度量測校正方法，用於一溫度感測裝置，該溫度感測裝置包含有一機殼以及設置於該機殼內部之一焦平面陣列模組，該溫度量測校正方法包含有：量測一環境背景溫度、該機殼之溫度以及該焦平面陣列模組之操作溫度；根據該環境背景溫度、該機殼之溫度以及該焦平面陣列模組之操作溫度，決定出複數個熱輻射校正迴歸係數，該步驟包含有：查詢一校正迴歸係數表，以讀取對應於該環境背景溫度、該機殼之溫度以及該焦平面陣列模組之操作溫度之該複數個熱輻射校正迴歸係數，其中，該校正迴歸係數表係有關於該溫度感測裝置量測不同溫度之物體時所產生之電子訊號與該複數個熱輻射校正迴歸係數中之至少一熱輻射校正迴歸係數為固定值的情況下所計算出之結果；利用該溫度感測裝置感測一物體所輻射出之紅外線能量，以產生一電子訊號；以及根據該複數個熱輻射校正迴歸係數以及該電子訊號計算出該物體之一實際溫度值。

專利申請國別及申請號

營業秘密、其它免填

同一專利多國申請請分列填寫

中華民國

申請號: 107145220

項次8

智慧財產權名稱

紅外線抗反射膜結構

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

1.一種紅外線抗反射膜結構，包括：一基材，其材料係為矽；一抗反射膜層，其材料係包含氧化鋅，包含一上抗反射膜層及一下抗反射膜層，該上抗反射膜層設置於該基材之上表面，該下抗反射膜層設置於該基材之下表面；其中，該基材係使用浮融帶長晶法方式所製備而成，該上抗反射膜層及該下抗反射膜層之厚度範圍係各為2至4.5微米。該抗反射膜層係為一單層氧化鋅。係為複數層氧化鋅與複數層高折射率材料彼此交替堆疊而成。該複數高折射率材料層之材料係為矽、鍺或砷化鎵。

專利申請國別及申請號

營業秘密、其它免填

同一專利多國申請請分列填寫

中華民國

證書號：TW I646350

美國

申請號: 1584792(US15/847925)

項次9

智慧財產權名稱

紅外線熱影像陣列模組驗證架構與製造方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

1.一種紅外線熱影像陣列模組之光學物性驗證裝置，其包含一用於熱像模組規格設計、磊晶與光學物性之驗證的模組，其驗證內容包含：一感測波段，利用短、中、長紅外線吸收波段；一感測模組紅外線穿透基板，選擇感測模組之品質優劣，即影響接收波段之紅外線穿透率；一底端高摻雜接觸層，其影響半導體與導電金屬歐姆接觸品質；一紅外線吸收層(IR Absorbing Layer)又稱主動層其週期數，其影響光導增值、量子效率；一本質層或空乏層，其厚度與本質濃度大小，影響量子效率與感測元件暗電流值；一能障阻擋層，影響感測元件本質阻抗，以符合高注入光電流效率、感測元件暗電流值、操作溫度下活化能值；一頂端高雜質摻雜接觸層，影響歐姆接觸特性與光電子流輸出效率；該模組更包含有：一材料沉積率校正架構，可利用高反射能量電子繞射法(Reflection High-Energy Electron Diffraction，RHEED)或石英震盪頻率測試法，沉積率誤差率介於0.01~0.5nm；一週期架構完整性檢測架構，可利用低角度雙晶格X光繞涉儀、光激螢光測試或穿邃式電子顯微測試，經數值回歸計算後，週期架構均勻度>95%；一結構結晶品質檢測架構，可利用低角度雙晶格X光繞涉儀測試，結構結晶(單晶與多晶)均勻度>90%；及一極性與參雜濃度校正架構，可利用電容電壓驗證法(C-V)法、低溫霍爾量測與二次離子質譜儀法，其極性判斷率與參雜濃度校正誤差分別>98%與<0.5E1倍。

專利申請國別及申請號

營業秘密、其它免填

同一專利多國申請請分列填寫

中華民國

證書號：TW I360881

日本

申請號:特願2006-320354

法國

申請號:6024749.1

美國

證書號:US 7,462,920 B2

項次10

智慧財產權名稱

具讀出電路之紅外線感測陣列裝置

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

1.一種具讀出電路之紅外線感測陣列裝置，其包含：一感測單元，其感測一紅外線，該感測單元設有一控制電極、一第一電極與一第二電極；一切換控制單元，其耦接該感測單元，該切換控制單元依據一第一組控制訊號控制該感測單元感測該紅外線之一第一波長、依據一第二組控制訊號控制該感測單元感測該紅外線之一第二波長，與依據一第三組控制訊號控制該感測單元感測該紅外線之該第一波長與該第二波長，該感測單元經該控制電極與該第一電極接收該第一組控制訊號，該感測單元經該控制電極與該第二電極接收該第二組控制訊號，該感測單元經該第一電極與該第二電極接收該第三組控制訊號，該感測單元依據該第一組控制訊號輸出一第一組輸出訊號，該感測單元依據該第二組控制訊號輸出一第二組輸出訊號，該感測單元依據該第三組控制訊號輸出第三組輸出訊號，該第一組輸出訊號對應於該第一波長，該第二組輸出訊號對應於該第二波長與第三組輸出訊號對應於該第一波長與第二波長；以及一讀出電路(readout circuit)，其耦接該感測單元，該讀出電路讀取該感測單元之該第一組輸出訊號、該第二組輸出訊號與該第三組輸出訊號。該感測單元包含：一透明基板；一共地接觸層，其設置於該透明基板上；一第一紅外線吸收本質層，其設置於該部分共地接觸層上；一第一接觸層，其設置於該第一紅外線吸收本質層上；一第二紅外線吸收本質層，其設置於該部分第一接觸層上一第二接觸層，其設置於該第二紅外線吸收本質層上；該第一電極，其設置於該共地接觸層上，並耦接該讀出電路之一共用端；該第二電極，其設置於該第一接觸層上，並耦接該讀出電路之一輸入端；以及該控制電極，其設置於該第二接觸層上，並耦接該切換控制單元。該讀出電路設置一共用電極與一輸入電極，該共用電極耦接該第一電極，該輸入電極耦接該第二電極，該讀出電路經由該輸入電極與該第二電極讀取該感測單元之該第一輸出訊號與該第二輸出訊號。

專利申請國別及申請號

營業秘密、其它免填

同一專利多國申請請分列填寫

中華民國

證書號: I481039

公司名稱

請填寫全名

公司統一編號

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聯絡電話

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