本院開發碳化矽單晶成長技術與功率電子元件。
產品具備下列優點：
• 化學穩定性高，可抗腐蝕，提升可靠度。 • 高導熱性，可應用於高溫操作環境。 • 操作溫度高，可簡化冷卻次系統，降低成本。 • 耐高壓操作。 • 目前已完成2吋晶體與設備開發，4吋晶體與設備建置中。 • 可應用於高功率元件、高亮度LED、與高頻率微波元件。