公告名稱
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碳化矽技術專利
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技術領域
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電子與光電、化工與材料、先進製造與系統、能源與環境
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產業應用範圍
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半導體材料、高溫控制裝置、綠能科技
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利權
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一種用於量測坩堝內部熱場分布之裝置
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2
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專利權
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不同相之石墨結構製作方法(Method of producing heterophase graphite )
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3
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專利權
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Device for growing monocrystalline crystal(一種用於成長單晶晶體之裝置)
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4
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專利權
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一種用於生長特定形狀碳化物之裝置
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智慧財產權公告摘要:
項次1
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智慧財產權名稱
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一種用於量測坩堝內部熱場分布之裝置
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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一種用於量測坩堝內部熱場分布之裝置，包括:一坩堝，其包含一上蓋、一本體、一成長室及一料源區；一保溫材，設置於該坩堝外部；一可移動加熱元件，係用以加熱該坩堝；複數具有絕緣耐高溫材料包覆之熱電偶，藉由該上蓋上的複數孔洞，設置於該上蓋內部，用以量測坩堝內部熱場分布。藉此，利用具有絕緣耐高溫材料包覆之熱電偶，可有效量測及調整坩堝內部溫度分布達到長晶之最佳溫度分布。。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I648525號
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日本
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特許6506863
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項次2
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智慧財產權名稱
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不同相之石墨製作方法
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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本發明實施例是藉由碳化矽晶片碳面與矽面極性的不同，並於於高溫低壓時進行脫矽反應，並利用碳化矽晶片的碳面與矽面的極性不同，使得矽蒸氣從碳化矽晶片中脫去時形成不同相的石墨結構，不需經過粉碎、酸洗等分離及純化製程就可得到2H或3R相的石墨結構，較過去習知技術，獲得2H或3R相的石墨結構的方法簡易許多，且本研究方法所製備的石墨結構純度較高，另外本發明可使製程道次減少、生產成本降低等。
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專利申請國別及申請號
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美國
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US 10,246,334 B2
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項次3
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智慧財產權名稱
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Device for growing monocrystalline crystal(一種用於成長單晶晶體之裝置)
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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一種用於成長單晶晶體之裝置，包括:一坩堝，用於使一晶種藉由一材料源以長晶，該坩鍋包含一晶種區、一成長室及一料源區；一保溫材，設置於該坩堝外部，該保溫材之上方區域包含有一散熱元件；複數加熱元件，設置於該保溫材外部，用以提供熱源；其中，該散熱元件包含一散熱內徑、一散熱外徑及一散熱高度，該散熱高度大於該保溫材之厚度。藉此，上述裝置可製備出大尺寸單晶晶體。
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專利申請國別及申請號
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美國
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US 10,385,443 B2
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項次4
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智慧財產權名稱
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一種用於生長特定形狀碳化物之裝置
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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一種用於生長特定形狀碳化物之裝置，包括: 一坩堝；一料源區，用以放置料源；一沉積區，用以成長晶體；一氣體溫度梯度控制區，其包含一溫度梯度；一加熱元件，係用以加熱該坩堝；一氣流沉積載具，設置於沉積區，該氣流沉積載具係由單一或兩種以上特定形狀重複一次以上排列所組成。藉此，利用氣流沉積載具，可有效量控制碳化物形狀及尺寸並提高沉積表面積。。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I675946號
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