公告名稱
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陶瓷材料之應用技術
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技術領域
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化工與材料
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產業應用範圍
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半導體等相關產業
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利
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LED磊晶結構
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2
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專利
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可磊晶之散熱基板與其製作方法
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3
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專利
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一種改善氮化鋁基板與銅鍍層之介面應力的結構
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4
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專利
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以高分子混合物製備氮化鋁粉體之方法
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5
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專利
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氮化鋁靜電吸盤之異質疊層共燒陶瓷製備方法
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6
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專利
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三維半導體電路結構及其製法
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7
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專利
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一種用於電子元件的散熱裝置
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8
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專利
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氮化鋁基板厚銅覆銅之製備方法
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9
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專利
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高純度氮化鋁製造方法
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10
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專利
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一種在多晶氮化鋁基板作高深寬比圖案的方法
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智慧財產權公告摘要:
項次1
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智慧財產權名稱
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LED磊晶結構
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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一種LED磊晶結構，其為由一第一層薄膜與一第二層薄膜所構成之一磊晶基板。其中，該第一層薄膜及該第二層薄膜分別為一多晶氮化鋁及一單晶氮化鋁，且由於氮化鋁材料具有良好導熱性、絕緣性、機械強度及化學穩定等優點，故以該磊晶基板為基礎，將一單晶氮化鎵薄膜作為一第三層薄膜磊晶於該第二層薄膜上，其中氮化鋁材料與氮化鎵材料有良好的晶格匹配程度和熱膨脹性匹配，因此以該磊晶基板與單晶氮化鎵薄膜所製備成之LED，其發光效率、散熱效率具有達到提升的效果。
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專利申請國別及申請號
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台灣
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101127972
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美國
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13/612,779
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項次2
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智慧財產權名稱
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可磊晶之散熱基板與其製作方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本發明提供一種可磊晶之散熱基板與其製造方法。該散熱磊晶基板包括：一基板，為高導熱係數之多晶或非晶材料組成，並具有一粗糙表面；形成一平坦層於該基板粗糙表面上，該平坦層具有平坦化上述基板表面之作用；以及形成一緩衝層於平坦層上，該緩衝層具有供單晶磊晶於其上之特性。該磊晶散熱基板製作方法包括以下步驟：(a) 在一基板的一表面形成粗糙面；(b) 於該粗糙面上形成一平坦層；以及(c)於該平坦層上形成一緩衝層。
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專利申請國別及申請號
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台灣
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105142162
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美國
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15/604,114
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日本
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2017-102492
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項次3
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智慧財產權名稱
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一種改善氮化鋁基板與銅鍍層之介面應力的結構
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本發明採用多次黃光微影製程與電鍍製程進行銅鍍層的製作，將所需的銅鍍層厚度減薄分批堆疊鍍製，並依照想要的角度調整黃光微影製程參數將每一層銅鍍層的長度依序向上內縮形成階梯狀型態，最後完成多層銅鍍層堆疊型態之金屬化線路鍍製。此發明不僅可得到相同厚度的銅鍍層，且堆疊銅鍍層後形成的階梯狀型態可降低邊緣之切線角度，可大幅降低氮化鋁基板與銅鍍層間的應力值，有效提升氮化鋁基板的可靠度。
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專利申請國別及申請號
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台灣
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104136105
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美國
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14/959,285
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日本
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2015-233750
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項次4
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智慧財產權名稱
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以高分子混合物製備氮化鋁粉體之方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本發明係提供一種以高分子混合物製備氮化鋁粉體之方法，該方法係包含以下步驟，提供高分子與木屑混成之第一混合材料；該第一混合材料與氧化鋁粉進行球磨混合，形成第二混合材料；該第二混合材料以造粒製程形成氧化鋁混合粉體；該氧化鋁混合粉體於氮氣氬氣之高溫中進行氮化反應，可於常壓下形成純度較高之氮化鋁粉體。
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專利申請國別及申請號
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台灣
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102143662
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美國
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14/140,516
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項次5
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智慧財產權名稱
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氮化鋁靜電吸盤之異質疊層共燒陶瓷製備方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本發明係提供一種氮化鋁靜電吸盤之異質疊層共燒陶瓷製備方法，該方法係包含以下步驟:提供第一層氮化鋁生片進行刮刀成型、落料；該第一層氮化鋁生片之一面進行網版印刷金屬電極，其中該金屬之油墨配方主成分以高熔點之金屬為主；提供第三層氮化鋁生片之一面疊層於該第二層之金屬電極上；以低溫低壓方式將第一層氮化鋁生片、第二層金屬電極及第三層氮化鋁生片之異質陶瓷層壓成型；該層壓成型之異質陶瓷以一燒結溫度曲線進行共燒，製得氮化鋁靜電吸盤之異質疊層共燒陶瓷，可減少金屬電極與氮化鋁陶瓷之間的燒結收縮比例差異，進而提升金屬電極與氮化鋁生片之間的界面強度與均勻附著性。
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專利申請國別及申請號
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台灣
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102143661
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美國
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14/280,703
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項次6
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智慧財產權名稱
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三維半導體電路結構及其製法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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一種三維半導體電路結構及其製法，其結構係包括：一上方具有第一金屬電路層之基板、一設置於該第一金屬電路層上，並與該第一金屬電路層電性之中介層、及設置於該中介層上之至少一半導體元件，藉由該中介層排除各該半導體元件作動時所產生之溫度，以達到提高半導體元件壽命之目的。
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專利申請國別及申請號
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台灣
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101130435
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美國
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13/655,487
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韓國
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10-2012-0120673
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項次7
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智慧財產權名稱
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一種用於電子元件的散熱裝置
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本發明以組合基板 (氮化鋁基板-熱電元件-氮化鋁基板）作為電子元件之散熱裝置，並利用散熱裝置上下兩端所產生的熱溫差現象，能有效排除電子元件所產生的熱能。此裝置不但可有效降低電子元件溫度，更可儲備其因熱電效應所產生之電能。
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專利申請國別及申請號
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台灣
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101134226
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美國
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13/708,990
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項次8
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智慧財產權名稱
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氮化鋁基板厚銅覆銅之製備方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本發明係提供一種氮化鋁基板厚銅覆銅之製備方法，該方法係以一氮化鋁基板表面濺鍍一層鈦或鎢金屬，再於鈦或鎢金屬層上電鍍銅層，並以一無氧銅厚板覆蓋於電鍍銅層之上，該電鍍銅層能因銅互相擴散而將兩片基板接合在一起，於氣氛高溫爐中進行燒結製程溫度設定900~1050℃，並使爐體內充滿氮氣隔絕空氣，利用鈦、鎢等金屬可使銅線路電路與氮化鋁基板有較好之相容性，並以氮化鋁基板作為散熱基板係可提升LED電路板之散熱效率。
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專利申請國別及申請號
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台灣
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102143660
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美國
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14/133,366
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項次9
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智慧財產權名稱
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高純度氮化鋁製造方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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一種高純度氮化鋁製造方法，係取氮化鋁加入抗水氣材料及粘黏劑，並以造粒製程將該氮化鋁材料製成球狀顆粒，將氮化鋁球狀顆粒以鋼模油壓成型出一氮化鋁塊狀體，將塊狀體進行冷均壓處理，且以低溫方式去除塊狀體中之抗水氣材料及粘黏劑，再將塊狀體置於一爐體中，並填入氮化硼粉末與氮氣進行燒結，製成一高純度氮化鋁。藉此，可製出純度高且品質優良之晶圓級氮化鋁基板，以應用於LED照明產品，而達到製程簡化、提升產品良率以及有效散熱之功效。
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專利申請國別及申請號
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台灣
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100127710
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美國
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13/237,100
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項次10
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智慧財產權名稱
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一種在多晶氮化鋁基板作高深寬比圖案的方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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一種在多晶氮化鋁基板上製作高深寬比圖案的方法，步驟包括: (A)提供一氮化鋁基板，於該氮化鋁基板製作一阻障層；(B) 使用一能量束對該阻障層進行蝕刻，於該阻障層形成至少一凹部；(C)對該基板進行電漿蝕刻，以將該凹部深入該氮化鋁基板之中；(D)將該阻障層剝除，得到具有至少一高深寬比圖案之氮化鋁基板。本發明藉由使用一能量束在阻障層上直接製作圖案，再利用電漿蝕刻的方式蝕刻氮化鋁基板，可快速地、有效地製作一具有高深寬比圖案之氮化鋁基板。
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專利申請國別及申請號
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台灣
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105134662
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美國
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15/362,105
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日本
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2016-233954
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李蕙先 管理師
(03)4712201#351055
hyesun@ncsist.org.tw
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