公告名稱
長波段紅外線量子井磊晶技術
技術領域
電子與光電
產業應用範圍
可應用於國防事業、醫療事業、光電檢測與科學監控等範疇。
公告智權項目
項次
權利類別
智慧財產權名稱
1
營業秘密
2
專利權
共振穿隧量子點元件裝置
智慧財產權公告摘要:
項次1
權利技術簡介(摘要)
本技術使用分子束磊晶技術製備長波段紅外線量子井磊晶結構，其結構共11層，並詳列每一磊晶層之材料、厚度與摻雜濃度。
項次2
一種共振穿隧量子點元件裝置，包含：半導體基板；半導體電子導電下注入層位於該半導體基板之上；複數個週期性雙能障之下半導體能障層位於該半導體電子導電下注入層之上；複數個週期性下半導體空間層位於該複數個週期性雙能障之下半導體能障層之上；複數個週期性量子點陣列層位於該複數個週期性下半導體空間層之上；複數個週期性上半導體空間層位於該複數個週期性量子點陣列層之上；複數個週期性雙能障之上半導體能障層位於該複數個週期性上半導體空間層之上；半導體電子導電上注入層位於該複數個週期性雙能障之上半導體能障層之上。
專利申請國別及申請號
營業秘密、其它免填
同一專利多國申請請分列填寫
中華民國
申請號: 094113583
(證書號:I315585)