活動訊息

公告本院可運用之智慧財產權: 高載子移動率銅銦鎵硒薄膜結構與製作方法

公告名稱

高載子移動率銅銦鎵硒薄膜結構與製作方法

技術領域

能源與環境

產業應用範圍

太陽能發電

公告智權項目

項次

權利類別

智慧財產權名稱

1

營業秘密

高載子移動率銅銦鎵硒薄膜結構與製作方法

 

智慧財產權公告摘要:

項次1

智慧財產權名稱

高載子移動率銅銦鎵硒薄膜結構與製作方法

權利類別

營業秘密

權利技術簡介(摘要)

此技術為高載子移動率銅銦鎵硒薄膜結構與製作方法專利中,詳述其專利執行結構、順序及製作方式 之內容,為輔助實施該專利之技術

 

本公告項目為本院可運用之智慧財產權公告,有興趣洽詢合作之業界夥伴,請來信與我們連絡。

連絡資訊:

法律事務室

李蕙先 管理師

(03)4712201#351071

hyesun@ncsist.org.tw

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