公告名稱
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碳化矽晶體合成技術及產業化合作
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技術領域
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電子與光電、化工與材料、先進製造與系統、能源與環境
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產業應用範圍
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半導體材料、高溫控制設備、綠能科技
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利權
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坩堝裝罝
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2
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專利權
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提高昇華氣體沉積速率之設備及其方法
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3
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專利權
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定頻式控制系統
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4
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專利權
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一種移動式定頻高週波加熱溫控裝置
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5
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專利權
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可拆卸晶圓固定裝罝
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6
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專利權
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高純度碳化物模具之製作方法
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7
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專利權
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一種用於成長多類型化合物之單晶晶體之製備方法
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8
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專利權
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一種光子晶體之製備方法
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9
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專利權
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一種碳化物原料合成之製備方法
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10
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專利權
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不同相之石墨製作方法
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11
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營業秘密
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高成長速率碳化矽晶球製備
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智慧財產權公告摘要:
項次1
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智慧財產權名稱
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坩堝裝罝
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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一種坩堝，用於使一晶種藉由一材料源以長晶，該坩堝包括一成長室、一固持器、一反射裝置以及複數氣體導向裝置。固持器位於成長室之上方，用以固定晶種。反射裝置位於固持器之周圍。複數氣體導向裝置位於成長室之下方，用以容納材料源並引導氣化之材料源。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I461578號
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日本
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特許第5582585號
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項次2
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智慧財產權名稱
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提高昇華氣體沉積速率之設備及其方法
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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本發明係關於藉由昇華法或物理氣相沉積法成長單晶或一種多型晶體或多晶。所用之坩堝成長腔體構型，使得其內部材料源形成昇華氣體分子於腔體內相對冷點可成核及成長。利用本發明構型中熱傳體，熱應力控制熱傳體，多孔性斷熱環，成分比控制體分階段控制熱傳和質傳熱場趨向，應用分段控制主要製程，使成長腔體內縱向及橫向熱輻射溫度差和縱向溫度梯度落於適當區間，並使材料源昇華氣體可穩定於相對冷點成核及提升成長速率。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I513839號
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項次3
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智慧財產權名稱
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定頻式控制系統
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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本創作係提供一種定頻式控制系統，係用於需恆定頻率運作之定頻式高週波加熱系統，本創作可改善傳統技術於高溫製程中易產生諧振頻率飄移之問題，維持系統之定頻運作。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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新型第M469686號
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項次4
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智慧財產權名稱
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一種移動式定頻高週波加熱溫控裝置
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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本創作一種移動式定頻高週波加熱溫控裝置，可成長品質較高的單晶晶體，移動式加熱線圈透過平台支架、滾珠螺桿與步進馬達的移動機構，滾珠螺桿精密的機械定位與傳動，以及步進馬達高精度的驅動與定位，產生細微可移動的溫度梯度，配合高週波加熱功率、溫度量測、壓力量測、氣體濃度等參數，由控制系統控制高週波加熱線圈移動速率，隨著晶體成長維持穩定的溫度梯度，提升長晶製程品質。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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新型第M499732號
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項次5
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智慧財產權名稱
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可拆卸晶圓固定裝罝
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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本新型提供一種可拆卸晶圓固定裝置，其係可拆卸地安裝於一晶圓製程機台，可拆卸晶圓固定裝置包含一底盤以及一真空開關閥，底盤中心具有一穿孔。真空開關閥對應穿孔設於底盤，真空開關閥內部與穿孔連通形成一空間，真空開關閥控制空間為一真空狀態或一大氣狀態，用以吸附或釋放一晶圓。藉此，可節省真空系統的成本花費。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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新型第M 505694號
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項次6
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智慧財產權名稱
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高純度碳化物模具之製作方法
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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本發明係提供一種高純度碳化物模具之製作方法，包含以下步驟： (A)提供一模板；(B)將該模板置入一成長腔體中；(C)將碳化物原料置於該成長腔體中；(D)提供熱場；(E)通入氣體；(F)沉積碳化物原料；以及(G)移除模板。本發明之高純度碳化物模具之製作方法，可製得由純度大於93%以上之高純度碳化物所構成的模具，有效改善傳統上碳化物模具硬度較低且純度較差之問題。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I571520號
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項次7
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智慧財產權名稱
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一種用於成長多類型化合物之單晶晶體之製備方法
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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本發明係揭示一種碳化矽之製備方法,藉由物理氣相傳輸法(physical vapor transport, PVT)，設計保溫材構型，進一步控制熱場，一旦增加系統軸向溫度差異後，在晶體生長初期可以有效抑制多晶區的生成，單晶區的凸界面生長在生長過程中也可以有效增加單晶區，產生單晶區的外擴生長，減少多晶的生成及對單晶的影響。此外，提高了晶體生長速率也可以有效的增加產率，達成量產目的。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I542741號
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項次8
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智慧財產權名稱
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一種光子晶體之製備方法
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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本發明係提供一種光子晶體的製備方法，包含：步驟1：取一晶種，於該晶種之一面進行蝕刻，以形成表面具有次微米空隙的晶種；步驟2：取一石墨盤，於該石墨盤之一面塗佈石墨膠，藉由該石墨膠將該晶種具有次微米空隙的一面貼附於該石墨盤，以形成一晶種座；步驟3：將該晶種座置於一成長室的上方，將原料置於至於該成長室的下方；步驟4：藉由一加熱裝置使該成長室內部形成一熱場，藉此將該原料由固體昇華為氣體分子；以及步驟5：控制成長室內的溫度、熱場、氣氛及壓力，使該氣體分子傳送並沉積於該晶種，藉此形成一光子晶體。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I571430
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美國
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US9,689,087
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日本
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特許第627716號
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項次9
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智慧財產權名稱
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一種碳化物原料合成之製備方法
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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本研究使用次多孔性碳材(如石墨毯)以及矽晶片(Si wafer)，利用碳熱還原法合成碳化矽原料。首先將多孔性碳材及石墨坩堝進行高溫純化，以避免碳化矽原料於高溫合成時產生汙染，並將去除晶片表面的雜質，接著將多孔性碳材與矽晶片採特殊的填料方式，置入石墨坩堝中，在將坩堝放入合成爐中完成碳化矽原料合成。也可於原料合成時摻雜n型(如：氮、磷、砷、銻)或p型(如：鋁、硼、釩、鈧、鐵、鈷、鎳、鈦)，製備不同電性的碳化矽原料。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I607968號
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日本
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特許第6371818號
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項次10
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智慧財產權名稱
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不同相之石墨製作方法
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權利類別
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專利權
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權利技術簡介(摘要)
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本發明實施例是藉由碳化矽晶片碳面與矽面極性的不同，並於於高溫低壓時進行脫矽反應，並利用碳化矽晶片的碳面與矽面的極性不同，使得矽蒸氣從碳化矽晶片中脫去時形成不同相的石墨結構，不需經過粉碎、酸洗等分離及純化製程就可得到2H或3R相的石墨結構，較過去習知技術，獲得2H或3R相的石墨結構的方法簡易許多，且本研究方法所製備的石墨結構純度較高，另外本發明可使製程道次減少、生產成本降低等。
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專利申請國別及申請號
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中華民國
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發明第I607966號
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項次11
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智慧財產權名稱
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高成長速率碳化矽晶球製備
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權利類別
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營業秘密
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權利技術簡介(摘要)
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本研究藉由控制加熱線圈的位移提高系統溫度梯度及過飽和度，及碳化矽料源使用率。用以提高晶種長晶表面碳化矽沉積速率，改善晶種品質並提高晶體成長速率，對後續進行大尺寸單晶之量產能提高其易製性。
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